Образцы SiC MOSFET от Toshiba поддерживают центры обработки данных с ИИ на 800 В

Компания Toshiba начала отгрузку тестовых образцов SiC MOSFET с траншейным затвором на 1200 В, предназначенных для систем питания в центрах обработки данных с ИИ. TW007D120E размещен в корпусе QDPAK с верхним охлаждением и разработан для обеспечения более высокой токовой нагрузки, улучшенных тепловых характеристик и более высокой удельной мощности в силовом каскаде. Эта разработка актуальна для читателей eeNews Europe, поскольку архитектуры питания центров обработки данных с ИИ движутся в сторону более высоких напряжений и более жестких целевых показателей эффективности. Она также демонстрирует, как технология SiC MOSFET распространяется за пределы электромобилей и возобновляемой энергетики в серверную инфраструктуру. 800 В HVDC стимулирует изменения в проектировании систем питания Рост генеративного ИИ усиливает давление на системы питания центров обработки данных, особенно с учетом того, что мощные серверы с ИИ стимулируют спрос на более эффективные преобразовательные каскады. Компания Toshiba указывает на более широкое распространение архитектур HVDC 800 В как на один из факторов, обуславливающих необходимость в переключающих устройствах с меньшими потерями и большей плотностью. TW007D120E сочетает в себе низкие потери проводимости, низкие потери при переключении и улучшенное рассеивание тепла. Устройство предназначено в первую очередь для источников питания центров обработки данных с использованием искусственного интеллекта, но Toshiba также указывает в качестве потенциальных областей применения фотоэлектрические инверторы, источники бесперебойного питания, зарядные станции для электромобилей и системы хранения энергии. Структура с траншейным затвором снижает сопротивление В 1200-вольтовом MOSFET используется структура SiC с траншейным затвором от Toshiba. По данным компании, устройство достигает типичного сопротивления RDS(on) 7,0 мОм, заряда затвор-сток 33 нКл и постоянного тока стока 172 А. По сравнению с SiC MOSFET третьего поколения от Toshiba, работающим на 1200 В, TW007D120E снижает сопротивление в открытом состоянии на единицу площади примерно на 58%. Toshiba также заявляет об улучшении показателя RDS(on) × Qgd примерно на 52%, что отражает компромисс между потерями проводимости и переключения. MOSFET поддерживает напряжение управления затвором от 15 до 18 В. Это может помочь разработчикам снизить тепловыделение и повысить эффективность в компактных системах питания центров обработки данных. Toshiba планирует подготовить TW007D120E к серийному производству в течение 2026 финансового года. Компания также планирует расширить линейку, включая разработку для автомобильной промышленности.